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STP2N105K5
STP2N105K5
- 描述
- N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP2N105K5
- 商品编号
- C672111
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.05kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这些超高压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积
- 业界最佳品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用