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IPB120N04S4L02ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：N沟道逻辑电平。增强模式。AEC认证。MSL1可达260°C峰值回流温度。工作温度175°C。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB120N04S4L02ATMA1
- 商品编号
- C672079
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.56nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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