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STP33N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:24A
- 描述
- N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP33N60DM2
- 商品编号
- C672104
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1个/管
总价金额：
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