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IPD60R650CE
1个N沟道 耐压:650V 电流:9.9A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R650CE
- 商品编号
- C672081
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.456757克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 82W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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- BSD223PH6327