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DMN3010LSS-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:16A
- 描述
- 特性：低导通电阻: 9mΩ（VGS = 10V）。 13mΩ（VGS = 4.5V）。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3010LSS-13
- 商品编号
- C672048
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.096nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 当VGS = 10 V时为9 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时为13 mΩ
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 设计无铅/符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准