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STL4N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.5A
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- 描述
- N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4.5 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL4N10F7
- 商品编号
- C672059
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 408pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅能显著降低导通电阻，还能减少内部电容和栅极电荷，实现更快速、高效的开关操作。
商品特性
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用