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DMN3900UFA-7B
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.65A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3900UFA-7B
- 商品编号
- C672069
- 商品封装
- X2-DFN0806-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 760mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 42.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结原理设计。超结MOSFET是一款性价比优化的产品，可用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
商品特性
- 0.4mm超薄封装,适用于轻薄应用
- 封装尺寸为 0.48 mm^2,比SOT23小16倍
- 低 VGS(th),可直接由电池驱动
- 低RDS(ON)
- 具备ESD保护
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
应用领域
- 负载开关
- 便携式应用
- 电源管理功能