SI2369DS-T1-BE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A 电流:5.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2369DS-T1-BE3
- 商品编号
- C5917645
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A；5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,5.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（Coss）特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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