SI4456DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:33A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4456DY-T1-GE3
- 商品编号
- C5917673
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.8W；3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品可选
- TrenchFET 第二代功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤产品可选
应用领域
-次级整流-负载点
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