- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISH112DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:11.3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH112DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5918322
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
- SISHA14DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SIA471DJ-T1-GE3
- SIB4316EDK-T1-GE3
- SIDR140DP-T1-RE3
- SIDR510EP-T1-RE3
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3
- SIHA17N80E-GE3
- SIHA18N60E-E3
- SIHA6N65E-GE3
- SIHB120N60E-T1-GE3
- SIHB12N50C-E3
- SIHB12N60E-GE3
- SIHB17N80E-GE3
- SIHB24N65ET1-GE3
- SIHB30N60E-GE3
- SIHB30N60ET1-GE3
- SIHB8N50D-GE3
- SISHA14DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- 800-10-061-66-001101
- 801-43-040-20-001000
- SI8442BB-C-IS1R
- SI8445BB-C-IS1
- 801-43-041-10-003000
- 800-10-063-66-001101
- 801-43-041-61-001000
- SI8451AA-A-IS1R
- 801-43-042-61-001000
- 800-10-064-30-001101
- 801-43-044-10-003000
- 800-3A-BL
- 801-43-046-62-001000
- 800-40-002-61-001000
- SI8461BA-B-IS1R
- 801-43-047-10-001000
- 800-40-002-62-001000
- SI8461BB-A-IS1
- 801-43-049-10-003000