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SIA471DJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:30.3A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 RoHS认证。 极低的RDS(on) x面积，可最大限度地减少在卤素限制PCB空间上的功率损耗。 为开关应用提供出色的RDS-Qg品质因数（FOM）。 100%进行Rg测试。应用：电池充电和管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA471DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C5918946
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0419克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET,采用热增强型PowerPAK SC - 70封装
- 极低的导通电阻(RDS(on))与面积乘积,可在有限的PCB空间内将功率损耗降至最低
- 为开关应用提供出色的导通电阻(RDS) - 栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
-电池充电与管理-负载开关-DC/DC转换器-电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
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