SIE812DF-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIE812DF-T1-GE3
- 商品编号
- C5918968
- 商品封装
- PolArPAK-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.2W；125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻（RDS）-栅极电荷（Qg）品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS - 输出电容电荷（Qoss）品质因数进行优化
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用
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