SIE812DF-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIE812DF-T1-GE3
- 商品编号
- C5918968
- 商品封装
- PolArPAK-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.2W；125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 第二代功率 MOSFET
- 采用顶部外露 PolarPAK 封装实现超低热阻,支持双面散热
- 基于引线框架的新型封装
- 芯片未外露
- 无论芯片尺寸如何,布局相同
- 低 Qgd/Qgs 比有助于防止直通
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电压调节模块 (VRM)
- DC/DC 转换:低端
- 同步整流
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