SIHB12N50C-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:12A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB12N50C-E3
- 商品编号
- C5919003
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 555mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.375nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数（FOM）
- 针对最低的导通电阻-输出电荷FOM进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
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