SIHL620S-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHL620S-GE3
- 商品编号
- C5919049
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小封装
- 低导通电阻：R_on = 12 Ω（最大值）（@VGS = -4 V）
- R_on = 32 Ω（最大值）（@VGS = -2.5 V）
应用领域
- 高速开关应用-模拟开关应用