- 引脚图
- 焊盘图
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SIRA60DP-T1-RE3
SIRA60DP-T1-RE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA60DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5919290
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 191pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
- SIRC06DP-T1-GE3
- TD341S232H
- LC0001
- SM104RD-0045
- 803-87-034-10-268101
- 801-93-048-62-001000
- 803-87-034-20-001101
- SM104RD-0098E
- 803-87-036-10-001101
- 803-87-036-10-132101
- 801-93-055-10-002000
- 803-87-036-53-001101
- SM104RD-0161E
- 803-87-036-65-410101
- 801-99-001-20-001000
- SM1206GC
- 803-87-038-10-005101
- 801-99-001-61-001000
- 803-87-038-10-269101
- SM1206NPGC-IL
- 803-87-038-20-001101