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SIR1309DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:65.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p- 通道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR1309DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5919282
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 适配器开关
- 负载开关
- 电机驱动控制
- 电池管理