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SIHB12N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.8A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB12N60E-GE3
- 商品编号
- C5919005
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 937pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 低品质因数 Ron × Qg
- 经过100%雪崩测试
- 栅极电荷性能改善
- 反向恢复时间Trr/反向恢复电荷Qrr性能改善
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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