温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIDR570EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:90.9A
- 描述
- 特性：TrenchFET第五代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR570EP-T1-RE3
- 商品编号
- C5918962
- 商品封装
- PowerPAKSO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 采用第二代沟道型场效应晶体管（TrenchFET Gen II）技术的功率MOSFET，具备超低导通电阻
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流-负载点转换器-保护器件-热插拔
相似推荐
其他推荐
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIE812DF-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3
- SIHA17N80E-GE3
- SIHA18N60E-E3
- SIHA6N65E-GE3
- SIHB120N60E-T1-GE3
- SIHB12N50C-E3
- SIHB12N60E-GE3
- SIHB17N80E-GE3
- SIHB24N65ET1-GE3
- SIHB30N60E-GE3
- SIHB30N60ET1-GE3
- SIHB8N50D-GE3
- SIHF15N65E-GE3
- SIHF22N60E-GE3
- SIHF28N60EF-GE3
- SIHF7N60E-GE3
- SIHG14N50D-E3
- SIHG21N80AE-GE3