SIDR610DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:8.9A 电流:39.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR610DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5918966
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A；39.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W；6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型场效应管(TrenchFET)技术优化了RDS(ON)、Qg、Qsw 和 Qoss 之间的平衡
- 针对最低的 RDS - Qoss 品质因数(FOM)进行调校
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 进行了 100% Rg 和非钳位感性负载开关(UIS)测试
应用领域
- 固定电信
- 直流 - 直流(DC/DC)转换器
- 初级和次级侧开关
- 同步整流
- 电源
- D 类放大器
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