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SIB4316EDK-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A 电流:4.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIB4316EDK-T1-GE3
- 商品编号
- C5918948
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10W；1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- N 沟道 MOSFET
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