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SIDR510EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A 电流:148A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR510EP-T1-RE3
- 商品编号
- C5918958
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A；148A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-或门和热插拔开关-电源-电机驱动控制-电池管理
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3
- SIHA17N80E-GE3
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- SIHB12N60E-GE3
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- SIHB30N60E-GE3
- SIHB30N60ET1-GE3
- SIHB8N50D-GE3
- SIHF15N65E-GE3
- SIHF22N60E-GE3
- SIHF28N60EF-GE3
- SIHF7N60E-GE3
- SIHG21N80AE-GE3
- SIHG33N65EF-GE3
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- 801-87-040-10-004101
- 800-V3-042-40-001101
- SLR-325YCT31
- 801-87-040-10-268101
- 800-V3-048-40-001101
- SLR-332DC3F
- 801-87-041-65-001101
- SLR-332VCT32
- 800-V3-055-20-101101
- 801-87-042-10-173101
- SIEN-M5B-PS-K-L
- SLR-56DUT32
- 800-V3-057-20-101101
- 801-87-042-10-268101
- SIEN-M5B-PS-S-L
- SLR-56VRTB7
- 800-V3-061-20-001101
- 801-87-042-20-002101
- SLR-56YYT32