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SISS32DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:63A 电流:17.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS32DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5918338
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A；17.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻(RDS)-栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - 输出电容电荷(Qoss)品质因数进行优化
- 进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用
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