SI4890DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4890DY-T1-E3
- 商品编号
- C5917689
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 针对高效PWM进行优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- DC/DC转换器
- 高速开关
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