SISH108DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:14A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH108DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5918319
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用第二代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen II)技术的功率MOSFET,具备超低导通电阻
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-同步整流-负载点转换器-保护器件-热插拔
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