- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装,高度仅 1.07 mm
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- N 沟道 MOSFET
- SI7390DP-T1-GE3
- SI7460DP-T1-GE3
- SI7634BDP-T1-E3
- SI7806ADN-T1-E3
- SISA18BDN-T1-GE3
- SISH108DN-T1-GE3
- SISH112DN-T1-GE3
- SISHA14DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SIA471DJ-T1-GE3
- SIB4316EDK-T1-GE3
- SIDR140DP-T1-RE3
- SIDR510EP-T1-RE3
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3
- SIHA17N80E-GE3
- SIHA18N60E-E3
- SIHA6N65E-GE3
- SIHB120N60E-T1-GE3
- SI7390DP-T1-GE3
- SI7460DP-T1-GE3
- SI7634BDP-T1-E3
- SI7806ADN-T1-E3
- 800-10-044-40-001101
- SI5341B-B03835-GM
- 7M-27.000MBBK-T
- 800-10-045-10-004000
- 800-10-046-10-001000
- SI5341B-B06059-GM
- 800-10-046-30-001000
- 7M-28.63636MAHQ-T
- 800-10-047-10-004000
- SI5341B-B06063-GMR
- 800-10-047-61-001000
- 800-10-049-10-001000
- 800-10-050-20-001000
- 800-10-050-65-001101
- 800-10-051-10-001101
- 800-10-051-65-001101
- 800-10-053-30-480101