SI7112DN-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:11.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7112DN-T1-E3
- 商品编号
- C5918265
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,17.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@15V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 直流-直流转换
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 直流-交流逆变器
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