SI7804DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7804DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5918284
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤素产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm
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