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SISA18BDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A 电流:18A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA18BDN-T1-GE3
- 商品编号
- C5918315
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；36.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 功率转换
- 负载开关
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