温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7806ADN-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21标准。 TrenchFET功率MOSFET。 PWM优化。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07mm。 100%进行Rg测试。应用：DC/DC转换器。 次级同步整流器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7806ADN-T1-E3
- 商品编号
- C5918286
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
相似推荐
其他推荐
- SISA18BDN-T1-GE3
- SISH108DN-T1-GE3
- SISH112DN-T1-GE3
- SISHA14DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SIA471DJ-T1-GE3
- SIB4316EDK-T1-GE3
- SIDR140DP-T1-RE3
- SIDR510EP-T1-RE3
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIE812DF-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3
- SIHA17N80E-GE3
- SIHA18N60E-E3
- SIHA6N65E-GE3
- SIHB120N60E-T1-GE3
- SIHB12N50C-E3
- SIHB12N60E-GE3
- SIHB17N80E-GE3