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SI7460DP-T1-GE3
耐压:60V 电流:18A 停产
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7460DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5918280
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品可选
- TrenchFET 第二代功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤产品可选
应用领域
- 次级整流-负载点
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