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SI7460DP-T1-GE3
耐压:60V 电流:18A 停产
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7460DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5918280
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤素产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装,高度仅 1.07 mm
应用领域
- 次级整流-负载点
- SI7634BDP-T1-E3
- SI7806ADN-T1-E3
- SISA18BDN-T1-GE3
- SISH108DN-T1-GE3
- SISH112DN-T1-GE3
- SISHA14DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SIA471DJ-T1-GE3
- SIB4316EDK-T1-GE3
- SIDR140DP-T1-RE3
- SIDR510EP-T1-RE3
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3
- SIHA17N80E-GE3
- SIHA18N60E-E3
- SIHA6N65E-GE3
- SIHB120N60E-T1-GE3
- SIHB12N50C-E3
- SIHB12N60E-GE3
- SI7634BDP-T1-E3
- SI7806ADN-T1-E3
- 800-10-047-61-001000
- 800-10-049-10-001000
- 800-10-050-20-001000
- 800-10-050-65-001101
- 800-10-051-10-001101
- 800-10-051-65-001101
- 800-10-053-30-480101
- 800-10-055-20-001000
- SI83408AFA-IFR
- 800-10-055-65-001101
- SI8384PS-IU
- 800-10-056-10-001101
- SI8405AB-B-IS1R
- 800-10-056-65-001101
- SI8410BD-D-IS
- 800-10-058-20-004101
- SI8430AB-D-IS
- 800-10-058-30-001000
- SI8430BB-C-IS