SI6415DQ-T1-BE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6415DQ-T1-BE3
- 商品编号
- C5918257
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,6.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET，采用热增强型PowerPAK SC - 70封装
- 极低的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积，可在有限的PCB空间内将功率损耗降至最低
- 为开关应用提供出色的导通电阻（RDS） - 栅极电荷（Qg）品质因数（FOM）
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 电池充电与管理-负载开关-DC/DC转换器-电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
相似推荐
其他推荐
- SI7104DN-T1-E3
- SI7112DN-T1-E3
- SI7390DP-T1-GE3
- SI7460DP-T1-GE3
- SI7634BDP-T1-E3
- SI7804DN-T1-GE3
- SI7806ADN-T1-E3
- SISA18BDN-T1-GE3
- SISH108DN-T1-GE3
- SISH112DN-T1-GE3
- SISHA14DN-T1-GE3
- SISS32DN-T1-GE3
- SIA471DJ-T1-GE3
- SIB4316EDK-T1-GE3
- SIDR140DP-T1-RE3
- SIDR510EP-T1-RE3
- SIDR570EP-T1-RE3
- SIDR610DP-T1-GE3
- SIE812DF-T1-GE3
- SIHA14N60E-GE3
- SIHA17N80E-E3