SI6415DQ-T1-BE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6415DQ-T1-BE3
- 商品编号
- C5918257
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟道型功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- 小尺寸TSSOP - 8 MOSFET比小尺寸SOIC封装的器件占用面积更小、外形更低,同时保持低导通电阻(rDS(on))和高热性能
- 小尺寸TSSOP - 8功率MOSFET所需的PC板面积约为同等小尺寸器件的一半
- 封装高度降至1.1 mm
- 标准引脚排列的改变可最大程度减少互连电阻对导通电阻(rDS(on))的影响,并最大程度地将热量从封装中散发出去
应用领域
- 新型小尺寸磁盘驱动器
- 计算机
- 手机
- PCMCIA卡
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