商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关
应用领域
- 消费电子-显示器(LCD或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源-工业领域-焊接、感应加热、电机驱动-电池充电器
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