SI7104DN-T1-E3

1个N沟道耐压:12V 电流:35A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7104DN-T1-E3
商品编号: C5918261
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

N沟道12 V(漏源极)MOSFET,采用PowerPAK 1212 - 8封装。PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品,采用相同封装技术,可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露,为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径,将PowerPAK SO - 8的优势融入更小的封装中,具备同等水平的热性能。其占地面积与TSOP - 6相当,比标准TSSOP - 8小40%以上,芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多,热性能比SO - 8好一个数量级,比TSSOP - 8好20倍,能利用任何PC板散热器能力,与TSSOP - 8相比,可降低结温,还能使芯片效率提高约20%。单双版PowerPAK 1212 - 8与单双版PowerPAK SO - 8引脚输出相同,1.05 mm的低高度使其适用于空间受限的应用。

商品特性

提供无卤选项
沟槽式场效应功率MOSFET
低热阻PowerPAK封装,尺寸小且高度低至1.07 mm
100%进行栅极电阻测试

应用领域

-同步整流-负载点

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	12V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	3.7mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	3.8W；52W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V
	栅极电荷量(Qg)	70nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.8nF
	反向传输电容(Crss)	520pF
	工作温度	-55℃~+150℃