SI4864DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:20V 电流:17A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4864DY-T1-E3
- 商品编号
- C5917681
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率MOSFET:额定电压2.5 V
- 低导通电阻RDS(on),仅3.5 mΩ
- 优化PWM(栅漏电荷Qgd和栅极电阻Rg)
应用领域
-服务器和路由器同步降压DC/DC转换器中的低端MOSFET
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