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SI3469DV-T1-BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3469DV-T1-BE3
- 商品编号
- C5917665
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,6.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 游戏机
- 台式电脑
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