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SI3139KA-TP
1个P沟道 耐压:20V 电流:660mA
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3139KA-TP
- 商品编号
- C5917657
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 860pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷，因此适用于要求严苛的高效转换器。
商品特性
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤素,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)
应用领域
- 开关应用