EFC6601R-TR
2个N沟道
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- EFC6601R-TR
- 商品编号
- C606013
- 商品封装
- WLCSP-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 2.5V驱动
- 共漏极类型
- 2KV人体模型静电放电防护
- 内置保护二极管
- 符合无卤要求