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EFC6601R-TR引脚图
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  • 焊盘图

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EFC6601R-TR

2个N沟道

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
EFC6601R-TR
商品编号
C606013
商品封装
WLCSP-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.0105克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)24V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)48nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 2.5V驱动
  • 共漏极类型
  • 2KV人体模型静电放电防护
  • 内置保护二极管
  • 符合无卤要求

数据手册PDF