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FDBL86062-F085
1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻：在VGS = 10V、ID = 80A时为1.5mΩ。 典型总栅极电荷：在VGS = 10V、ID = 80A时为95mC。 具备UIS能力。 通过AEC Q101认证。 无铅且符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL86062-F085
- 商品编号
- C606101
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 429W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.97nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 当栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -65 A 时，典型漏源导通电阻（RDS(on)） = 6.3 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -65 A 时，典型总栅极电荷（Qg(tot)） = 48 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
- 可焊侧翼，适用于自动光学检测（AOI）
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向
- 集成式启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 12 V 系统的主开关