FDMS86381-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:30A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86381-F085
- 商品编号
- C606112
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.2mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 866pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为4.5 A时，最大漏源导通电阻为55 mΩ
- 栅源电压为6 V、漏极电流为3.7 A时，最大漏源导通电阻为80 mΩ
- 高性能沟槽技术，可实现极低的漏源导通电阻
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换