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FDMS86381-F085实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMS86381-F085

1个N沟道 耐压:80V 电流:30A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMS86381-F085
商品编号
C606112
商品封装
Power-56-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))17.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)866pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造,该工艺经过特别设计,可在保持卓越开关性能的同时,最大程度降低导通电阻。

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 30 A 条件下,典型 RDS(on) = 17.2 m Ω
  • 在 VGS = 10 V、ID = 30 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 14 nC
  • 具有非钳位感性负载(UIS)能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电子转向系统
  • 集成式起动机/发电机
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF