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FDS86140
1个N沟道 耐压:100V 电流:11.2A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS86140
- 商品编号
- C606115
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V,11.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.58nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 11.2 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 9.8 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 9 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 16 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和大电流处理能力
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 24 V和48 V系统的主开关
- 高压同步整流器