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NVTFS4C10NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:47A 电流:15.3A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS4C10NTAG
- 商品编号
- C606310
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.3A；47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W；28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 典型值：栅源电压 VGS 为 -10 V、漏极电流 ID 为 -50 A 时，导通电阻 RDS(on) 为 11 mΩ
- 典型值：栅源电压 VGS 为 -10 V、漏极电流 ID 为 -50 A 时，总栅极电荷 Q_g(tot) 为 28 nC
- 非钳位感应开关（UIS）能力
- 可焊侧翼，适用于自动光学检测（AOI）
- 通过 AEC-Q101 认证
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向
- 集成启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 12 V 系统的主开关