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NVMFS5C442NLAFT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:29A 130A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C442NLAFT1G
- 商品编号
- C606160
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A；130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗
- NVMFS5C442NLWF – 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准