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NTBLS1D1N08H
1个N沟道 耐压:80V 电流:351A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBLS1D1N08H
- 商品编号
- C606157
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 351A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.92mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.2nF@64V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@64V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低QG和电容，以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运-电池管理系统/储能、家庭自动化