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FDMC6679AZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- FDMC6679AZ 专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。该产品结合了硅技术和封装技术的先进成果，具备极低的导通电阻 rDS(on) 并提供静电放电（ESD）保护。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC6679AZ
- 商品编号
- C606102
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.97nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMC6679AZ旨在最大限度地减少负载开关应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，以提供最低的导通电阻rDS(on)和静电放电（ESD）保护。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -11.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 10 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -8.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 18 mΩ
- 典型人体模型（HBM）静电放电保护等级为8 kV
- 扩展的栅源电压（VGSS）范围（-25 V），适用于电池应用
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 该器件无铅且无卤化物
应用领域
- 笔记本电脑和服务器中的负载开关-笔记本电脑电池组电源管理