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FDMS007N08LC
1个N沟道 耐压:80V 电流:84A 电流:14A
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS007N08LC
- 商品编号
- C606106
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,21A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；92.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
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