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FDMS86310
1个N沟道 耐压:80V 电流:50A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86310
- 商品编号
- C606110
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专门设计用于提高整体效率，并最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 4.8 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 14 A时,最大rDS(on) = 6.7 mΩ
- 先进的封装与硅片组合,实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,专为软恢复设计
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主开关-同步整流器-电机开关