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FDMS86252L
1个N沟道 耐压:150V 电流:12A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86252L
- 商品编号
- C606108
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V,4.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.335nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 4.4 A时，最大rDS(on) = 56 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 3.8 A时，最大rDS(on) = 71 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 3.7 A时，最大rDS(on) = 75 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门FET/负载开关
- 同步整流
- DC-DC转换