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FDMS86300DC
1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86300DC
- 商品编号
- C606109
- 商品封装
- DFN-8(5.1x6.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1574克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.005nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进POWERTRENCH工艺制造。结合了硅技术和双散热（DUAL COOL）封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下保持出色的开关性能，同时实现最低的导通电阻（rDS(on)）。
商品特性
- 双散热(DUAL COOL)顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 24 A时,最大导通电阻(rDS(on)) = 3.1 mΩ
- VGS = 8 V、ID = 21 A时,最大导通电阻(rDS(on)) = 4.0 mΩ
- 高性能技术实现极低的导通电阻(rDS(on))
- 100%进行了非钳位感性负载(UIL)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-电信二次侧整流-高端服务器/工作站Vcore低端