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FDMS86182
1个N沟道 耐压:100V 电流:78A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86182
- 商品编号
- C606107
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.105nF |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 28 A时，最大rDS(on) = 7.2 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 14 A时，最大rDS(on) = 19.5 mΩ
- 反向恢复电荷Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%通过单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主直流-直流MOSFET
- 直流-直流和交流-直流电路中的同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能