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FDMC8878
1个N沟道 耐压:30V 电流:16.5A 电流:9.6A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是先进的 Power Trench 工艺的坚固门极版本。此产品非常适用于电源管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8878
- 商品编号
- C606104
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A；16.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V,9.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺，具备坚固耐用的栅极结构，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 9.6A条件下，最大rDS(on) = 14mΩ
- 在VGS = 4.5V、ID = 8.7A条件下，最大rDS(on) = 17mΩ
- 超薄封装——MLP 3.3X3.3封装最大厚度0.8mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换