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FDMD8540L
2个N沟道
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- 描述
- 该设备在双功率（5mm x 6mm）封装中包含两个40V N沟道MOSFET。HS源极和LS漏极内部连接，适用于半桥/全桥，具有低源极电感封装、低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8540L
- 商品编号
- C606105
- 商品封装
- PQFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 156A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V；1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.668nF |
商品概述
该器件在双功率（5 mm x 6 mm）封装中集成了两个40 V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具有低rDS(on)/Qg品质因数的硅技术。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 33 A时，最大rDS(on) = 1.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.2 mΩ
- Q2：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 33 A时，最大rDS(on) = 1.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.2 mΩ
- 非常适合桥拓扑初级侧的灵活布局
- 经过100% UIL测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 负载点同步双路-单相电机半桥-半桥/全桥次级同步整流