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NTMFS0D7N03CGT1G

NTMFS0D7N03CGT1G

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS0D7N03CGT1G
商品编号
C606045
商品封装
DFN-5(4.9x5.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)409A
导通电阻(RDS(on))0.65mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)191nC@10V
输入电容(Ciss)16nF@15V
反向传输电容(Crss)360pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时,典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 2.5 mΩ
  • 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时,典型总栅极电荷 (Qg(tot)) = 43 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成启动发电机
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF