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NTMFS0D7N03CGT1G

NTMFS0D7N03CGT1G

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS0D7N03CGT1G
商品编号
C606045
商品封装
DFN-5(4.9x5.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)409A
导通电阻(RDS(on))0.65mΩ@10V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)191nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)16nF
反向传输电容(Crss)360pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)5.8nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 宽安全工作区(SOA),改善浪涌电流管理
  • 采用先进封装(5x6mm),热传导性能出色
  • 超低 RDS(on),提高系统效率
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准

应用领域

-热插拔应用-功率负载开关-电池管理与保护

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